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提供专业的磁场测量解决方案
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强磁场测量仪器(0 - 20T)
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型号
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原理
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类型
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轴数
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DC精度
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最大量程
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最高分辨率
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G80
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霍尔
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手持&经济型
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1
|
2%
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2T
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10μT
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G81
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霍尔
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手持&通用型
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1
|
0.8%
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10T
|
1μT
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G82
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霍尔
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手持&高频型
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1
|
0.8%
|
2T
|
1μT
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G92
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霍尔
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手持式
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1
|
1%
|
10T
|
10μT
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G93
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霍尔
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手持式
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3
|
1%, 0.5%
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20T
|
1μT
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G201
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霍尔
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台式
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1
|
0.2%
|
20T
|
1μT
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G401
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霍尔
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台式
|
1
|
0.04%
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20T
|
1μT
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G403
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霍尔
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台式
|
3
|
0.1%
|
20T
|
1μT
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GSP301A
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霍尔
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模拟变送器
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1
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1%, 0.2%
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10T
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Output: ±3V
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GSP301D
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霍尔
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数字变送器
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1
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1%, 0.2%
|
10T
|
1μT
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GSP303D
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霍尔
|
数字变送器
|
3
|
1%, 0.2%
|
20T
|
1μT
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弱磁场测量仪器(0-
2mT)
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弱磁场高斯计
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型号
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原理
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类型
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轴数
|
DC精度
|
最大量程
|
最高分辨率
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GMR60
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磁阻
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手持式
|
1
|
0.5%
|
2mT
|
10nT
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GF601
|
磁通门
|
手持式
|
1
|
0.5%
|
1mT
|
0.1nT
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GF603
|
磁通门
|
手持式
|
3
|
0.25%
|
1mT
|
0.1nT
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GF633
|
磁通门
|
台式
|
3
|
0.1%
|
100μT
|
0.01nT
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GFP703
|
磁通门
|
智能变送器
|
3
|
0.5%
|
1mT
|
0.1nT
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GFP803
|
磁通门
|
智能变送器
|
3
|
0.2%
|
1mT
|
0.1nT
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交流磁场测量(10Hz-
1MHz)
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型号
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原理
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类型
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轴数
|
AC精度
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最大量程
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频率响应
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AMS-2K
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交流线圈
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模拟传感器
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1
|
1%
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3mT
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30Hz- 2kHz
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AMS-1M
|
交流线圈
|
模拟传感器
|
1
|
1%
|
3mT
|
2kHz- 1MHz
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GA1000
|
磁阻
|
手持式
|
3
|
2%
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400μT/ Axis
|
30Hz- 1MHz
|
|
GSP301HF
|
磁阻
|
模拟变送器
|
1
|
1%
|
150μT
|
20Hz- 1.2MHz
|
|
GSP303HF
|
磁阻
|
模拟变送器
|
3
|
1%
|
150μT
|
20Hz- 1.2MHz
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G82
|
霍尔
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手持式
|
1
|
±0.5dB
|
2T
|
10Hz- 80kHz
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磁通门传感器
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型号
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原理
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类型
|
轴数
|
噪声等级
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最大量程
|
输出
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F901
|
磁通门
|
经济型
|
3
|
10 to 20pT
|
1000μT
|
±10V,单端
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F902
|
磁通门
|
低噪声
|
3
|
<10pT
|
100μT
|
±10V,单端
|
|
F903
|
磁通门
|
低功耗
|
3
|
10 to 20pT
|
200μT
|
±3V,差分
|
|
F904
|
磁通门
|
低功耗|低噪声
|
3
|
<10pT
|
100μT
|
±3V,差分
|
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F53
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磁通门
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高温型
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3
|
≤300pT@175℃
|
100μT
|
±5V,差分
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备注：1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG; 1nT= 10μG
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经济型高斯计 G80
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简述：
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COLIY公司的第三代半导体氮化镓GaN霍尔传感器，具有温度稳定性好、不受光照影响、线性度高、噪声低的特点，性能领先于第二代半导体砷化镓GaAs传感器技术。经济型高斯计 G80 采用 COLIY 公司 Bypass Zero Technology 技术和高稳定度氮化镓GaN霍尔传感器，拥有极佳的零点稳定度，无需调零，提高了数据的准确度和使用便利性。
高斯计 G80可用于测量永磁材料表面磁场、直流电机、扬声器、磁选机、永磁除铁器的工作磁场测量以及工件剩磁测量，广泛应用于磁性材料生产商、永磁电机生产商、永磁除铁器生产商以及应用单位、电力行业和铁路行业。
高斯计 G80 使用 3.2 英寸黑白工业触摸屏，而且具有符合智能手机使用习惯的菜单和显示界面，操作简便，一目了然，不需参阅说明书。G80高斯计的DC 精度 2%，分辨率 0.1G (0.01mT)，量程 20kG (2T)， 频率响应范围 DC-100Hz，可搭配径向探头或者轴向探头。
此外，高斯计G80具有DC/AC磁场测量、N/S 磁性极性显示和最大值/最小值测量功能。高斯计G80采用傅里叶分析法测量交流磁场(RMS值)，非常适合用于测量交流各类波形(正弦波、方波、三角波、梯形波、锯齿波等)的磁场。
高斯计G80已通过CE认证和EMC(电磁兼容)测试。
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特性
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● 免调零技术
● 图形界面操作系统
● 第三代半导体GaN霍尔传感器
● 3.2英寸LCD黑白触摸屏
● 最大值/最小值功能
● S或N磁极显示
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● 量程高达20kG(2T)
● DC精度<2%
● 分辨率：0.1G(0.01mT)
● 频率响应DC- 100Hz
● RMS交流各类波形测量
● 探头温度系数±300ppm/℃
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Bypass Zero technology
普通的高斯计在使用过程当中，主机和探头由于温度的变化和磁滞的影响，磁场零点会发生偏移，因此探头必须经常放入校零腔内进行调零操作。
高斯计G80采用独特的 Bypass Zero Technology专利技术和高稳定度GaN霍尔传感器，主机和探头都拥有极佳的零点稳定度和极低的噪声，温度和磁滞不影响高斯计的零点，使用过程中无需调零，大大提高了数据的准确度和使用便利性。
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GaN霍尔传感器
GaN材料具有原子键强、热导率高、化学稳定性好和抗辐照能力强的优点，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP半导体材料之后的第三代半导体材料。
COLIY公司的第三代半导体氮化镓GaN霍尔传感器，具有温度稳定性好、线性度高、噪声低的特点，性能领先于第二代半导体砷化镓GaAs传感器技术。
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显示风格
黑白LCD显示屏显示多种数据：DC/AC RMS测量模式、实时磁场强度、N/S磁极极性、最大值、最小值。
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金属保护套管
COLIY高斯计的全系列探头都采用无磁金属套管保护。
无磁金属套管可跟探头握把拧紧固定，保护探头免于强烈的撞击、挤压等，可防止探头10米高度的跌落损伤，甚至可抗锤子的敲击。建议用户在完成磁场测量后，请将无磁金属套管拧紧固定，可最大限度保护探头的损伤。
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G80高斯计参数：
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型号
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G80
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测量参数
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|
精度(DC)
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<±2%
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量程
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20kG
(2T)
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分辨率
|
0.1G(0.01mT)
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显示位数
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4
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频率响应范围
|
DC- 100Hz
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探头温度系数
|
±300ppm/℃ (典型值)
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AC测量模式
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响应频率范围10Hz-100Hz
RMS均方根值，适合波形：正弦波、方波、三角波、梯形波、锯齿波等
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零点漂移
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采用 Bypass Zero Technology专利技术，无零点漂移。温度和磁滞对零点无影响。
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前面板
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显示屏幕
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3.2英寸黑白电阻触摸屏，320x240 像素
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显示单位
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高斯 (G)、特斯拉 (T)
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显示更新速率
|
4次/秒
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显示模式
|
DC、AC (RMS)、最大值、最小值、N/S磁极极性显示等
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探头
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传感器
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COLIY第三代半导体氮化镓GaN霍尔传感器
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可搭配的探头
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详见“探头规格”列表
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接插件
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无磁超轻6芯防水接插件
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探头握把和保护套
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无磁航空铝合金，抗10米跌落
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电缆线
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6芯屏蔽双绞线柔性电缆，符合CAT5e标准
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电缆长度
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标准1.5米；可订制最长30米
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USB接口
|
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功能
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仅供电，用于连接5VDC充电器或者移动电源(充电宝)。
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模拟输出
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|
模拟输出
|
无
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主机规格
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工作温度
|
-10℃ to +60℃
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预热
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开机即用。预热30分钟后达到最佳性能
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主机温度系数
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<±50ppm/℃，在工作温度范围内对精度影响忽略不计
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储存温度
|
-20℃ to +75℃
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环境磁场
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<1kG(0.1T)
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电池
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可充电4400mAH 锂离子电池
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电池连续工作时间
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>15小时(标准试验环境中测试，低温环境下工作时间会减少)
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电源
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5VDC，可连接充电宝供电
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尺寸
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238
mm W × 95 mm H × 42 mm D
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重量
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350g
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认证
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CE 认证、EMC认证
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探头规格
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|
|
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探头类型
|
量程
|
频率响应范围
|
探杆尺寸
(mm)
|
工作温度
(℃)
|
DC精度
(25℃)
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探杆材料
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径向探头
T08M150G80
|
20kG
(2T)
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DC-100Hz
|
80*2.2*1
|
-20 - +60
|
<±2%
|
金属
|
|
轴向探头
A08M150G80
|
20kG
(2T)
|
DC-100Hz
|
80*Φ6
|
-20 - +60
|
<±2%
|
金属
|
|
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最常用的套件
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套件产品编号 G8001：高斯计主机G80+ 径向探头T08M150G80
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探头选型描述
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|
T
|
08
|
M
|
150
|
G80
|
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探头类型
A - 轴向探头
T - 径向探头
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探杆长度
08 - 8cm
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探杆风格
M – METAL
P – PLASTIC
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电缆长度
150 – 150cm
…
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适配高斯计型号
G80 – 适配高斯计 G80
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