应用案例
概述：
通常，用户使用基于磁通门或磁阻原理的磁测量设备来测量地球磁场，例如磁通门磁强计，磁阻高斯计或指南针等。
GaN材料具有强原子键，高导热性，良好的化学稳定性和强抗辐射性的特性。 COLIY的第三代半导体氮化镓（GaN）霍尔传感器具有良好的温度稳定性，高线性度和低噪声的特性，其性能领先于第二代半导体砷化镓（GaAs）传感器技术。
搭配氮化镓（GaN）霍尔传感器，高斯计G81 运用在弱磁测量场合
普通的高斯计在使用过程当中，主机和探头由于温度的变化和磁滞的影响，磁场零点会发生偏移，因此探头必须经常放入校零腔内进行校零操作。
高斯计G81采用独特的 Bypass Zero Technology专利技术和高稳定度GaN霍尔传感器，主机和探头都拥有极佳的零点稳定度和极低的噪声，60秒内的峰峰值（PEAK TO PEAK)噪声小于0.05G。温度和磁滞不影响高斯计的零点，使用过程中无需校零，大大提高了数据的准确度和使用便利性。
因此，除了可以用来测量强磁场外，搭配了氮化镓霍尔传感器的高斯计G81还可以用来测量微弱磁场，如工件剩磁，地球磁场等等。
以下是使用搭配了氮化镓霍尔传感器的高斯计G81去测量地球磁场的模拟测试。 探针固定在平台上，然后绕平台的中心轴旋转（逆时针）。 每10度记录一次读数，可以获得36组数据。 然后，这些数据形成相应的图形，如图所示，该曲线近似为正弦曲线。
http://www.coliy.com/en/product/Gaussmeter/2014/0218/G81%20gaussmeter.html
模拟测试的测量数据如下表所示：
|
Angle (°) |
0 |
10 |
20 |
30 |
40 |
50 |
60 |
70 |
80 |
|
B (G) |
-0.03 |
-0.10 |
-0.16 |
-0.21 |
-0.25 |
-0.28 |
-0.31 |
-0.32 |
-0.33 |
|
Angle (°) |
90 |
100 |
110 |
120 |
130 |
140 |
150 |
160 |
170 |
|
B (G) |
-0.33 |
-0.32 |
-0.30 |
-0.28 |
-0.26 |
-0.23 |
-0.20 |
-0.16 |
-0.10 |
|
Angle (°) |
180 |
190 |
200 |
210 |
220 |
230 |
240 |
250 |
260 |
|
B (G) |
-0.04 |
0.03 |
0.09 |
0.15 |
0.20 |
0.24 |
0.28 |
0.30 |
0.32 |
|
Angle (°) |
270 |
280 |
290 |
300 |
310 |
320 |
330 |
340 |
350 |
|
B (G) |
0.32 |
0.31 |
0.29 |
0.27 |
0.23 |
0.20 |
0.15 |
0.08 |
0.03 |
