公司新闻

氮化镓霍尔传感器C1
来源: | 作者:admin | 发布时间: 644天前 | 622 次浏览 | 分享到:
根据霍尔效应,人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。目前霍尔传感器以砷化镓、锑化铟以及砷化铟材料为主,有着广泛的应用,但是存在的问题是受温度影响比较大,温度偏移系数较大达到500ppm每度甚至更高,温度一般只能到70度,一些需要高精度量测的时候显得不足。现在第三代半导体氮化镓完美的解决了这一问题,受温度变化小,即温度系数小温度漂移,变化一度是50ppm的偏移,,从0-15T的磁场能够呈现很好的线性度,达到万分之5,工作温度可以到125度,为高精度量测应用带来了行业更好的解决方案。目前市场主要以coliy的High Performance Hall Sensor C1系列为主

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Operating temperature

TA

50 ~ + 125

°C

Storage temperature

Tstg

50 ~ + 130

°C

Supply current

I1

30

mA

Thermal conductivity, soldered in air

GthC GthA

≥2.2

1.5

mW/K mW/K


Characteristics (TA = 25 °C)

PARAMETER

CONDITION

MIN       TYP       MAX

UNIT

Nominal supply current

I1N

            20           

mA

Open-circuit Hall voltage

I1 = I1N, B = 0.1 T

V20

                6.7           

mV

Open-circuit Hall voltage  

Consistency  (100PCS TEST)

                               

0.2%         0.5%

Ohmic offset voltage

I1 = I1N, B = 0 T

VR0

0.1           0.2             0.5    

mV

Linearity of Hall voltage

B = 0.1 ¼  2.0 T

FL

0.03        0.05          0.1

%

Input resistance               B = 0 T

R10

60             64            68

W

Output resistance             B = 0 T

R20

60             64            68

W

Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage

I1 = I1N, B = 0.5 T

TCV20

0             -30           -50

ppm/K

Temperature coefficient of the internal resistance

B = 0 T

TCR10, R20

                   0.08       

%/K

Temperature coefficient of ohmic offset voltage

I1 = I1N, B = 0 T

TCVR 0

0.1

%/K

Noise Figure

F

10

dB

Range

                                      15        

T