根据霍尔效应，人们用半导体材料制成的元件叫霍尔元件。它具有对磁场敏感结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。目前霍尔传感器以砷化镓、锑化铟以及砷化铟材料为主，有着广泛的应用，但是存在的问题是受温度影响比较大，温度偏移系数较大达到500ppm每度甚至更高，温度一般只能到70度，一些需要高精度量测的时候显得不足。现在第三代半导体氮化镓完美的解决了这一问题，受温度变化小，即温度系数小温度漂移，变化一度是50ppm的偏移，，从0-15T的磁场能够呈现很好的线性度，达到万分之5，工作温度可以到125度，为高精度量测应用带来了行业更好的解决方案。目前市场主要以coliy的High Performance Hall Sensor C1系列为主
Maximum Ratings
Parameter | Symbol | Value | Unit |
Operating temperature | TA | – 50 ~ + 125 | °C |
Storage temperature | Tstg | – 50 ~ + 130 | °C |
Supply current | I1 | 30 | mA |
Thermal conductivity, soldered in air | GthC GthA | ≥2.2 ≥1.5 | mW/K mW/K |
Characteristics
(TA = 25 °C)
PARAMETER
| CONDITION | MIN TYP MAX
| UNIT
|
Nominal supply current | I1N | 20 | mA |
Open-circuit Hall voltage I1 = I1N, B = 0.1 T | V20 | 6.7 | mV |
Open-circuit Hall voltage Consistency (100PCS TEST) |
| 0.2% 0.5% |
|
Ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T | VR0 | 0.1 0.2 0.5 | mV |
Linearity of Hall voltage B = 0.1 ¼ 2.0 T |
FL |
0.03 0.05 0.1 |
% |
Input resistance B = 0 T | R10 | 60 64 68 | W |
Output resistance B = 0 T | R20 | 60 64 68 | W |
Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage I1 = I1N, B = 0.5 T | TCV20 | 0 -30 -50
| ppm/K |
Temperature coefficient of the internal resistance B = 0 T | TCR10, R20 | 0.08 | %/K |
Temperature coefficient of ohmic offset voltage I1 = I1N, B = 0 T | TCVR 0 | 0.1 | %/K |
Noise Figure | F | 10 | dB |
Range |
| 15 | T |
